El Disco Sólido M.2 NVMe Crucial E100 de 480 GB, modelo CT480E100SSD8C, es una unidad de almacenamiento interna económica de alto rendimiento basada en PCIe Gen4. Está diseñada para usuarios que buscan una mejora significativa en velocidad respecto a SATA o HDD, ideal para arranque rápido del sistema, aplicaciones diarias y edición ligera en PCs de escritorio y portátiles.
- Capacidad: 480 GB
- Formato: M.2 2280 (single-sided)
- Interfaz: PCIe 4.0 x4 (compatible con PCIe 3.0)
- Protocolo: NVMe 1.4
- NAND Flash: Micron 3D NAND TLC
- Controlador: DRAM-less con soporte HMB (Host Memory Buffer)
- Velocidad de lectura secuencial máxima: Hasta 4.700 MB/s (algunas referencias indican hasta 5.000 MB/s según pruebas)
- Velocidad de escritura secuencial máxima: Hasta 2.500 MB/s
- Velocidad de lectura aleatoria (4K): Alta (mejorada por HMB)
- Velocidad de escritura aleatoria (4K): Alta
- Endurance (TBW): Aprox. 60 TBW (para el modelo de 480 GB)
- Dimensiones: 80 mm × 22 mm × 2,38 mm (aprox.)
- Peso: Aprox. 7-8 g
- Consumo energético: Muy bajo (ideal para portátiles)
- Temperatura de operación: 0 °C a 70 °C
- Tecnologías soportadas: HMB, LDPC ECC, AES 256-bit encryption, Adaptive Thermal Protection, power loss immunity
- Software incluido: Crucial Storage Executive (para monitoreo, actualización de firmware y optimización)
- Compatibilidad: Windows 10/11, Linux y sistemas con slot M.2 PCIe NVMe
- Garantía: 3 años limitada por el fabricante
Este SSD ofrece un rendimiento Gen4 accesible, siendo hasta 8 veces más rápido que un SSD SATA y 33 veces más rápido que un HDD tradicional. Su arquitectura DRAM-less con HMB reduce costos sin sacrificar demasiado el rendimiento en usos cotidianos. El diseño single-sided facilita su instalación en laptops con espacio limitado.
Recomendado como disco principal (boot drive) o secundario para usuarios que buscan velocidad a un precio económico. No es el modelo más adecuado para workloads profesionales de escritura constante o edición intensiva de video (para esos casos se recomiendan series con DRAM dedicada).
